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IGBT电镀局部镀镍2-6um


       IGBT?榈目刈饔檬峭ü诱蛘ぜ缪剐纬晒档,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。驱动要领和MOSFET基内情同,只要控制输入极N-沟道MOSFET,以是具有高输入阻抗特征。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层举行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT?樵诟叩缪故保簿哂械偷耐ㄌ缪埂


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